ΠΡΟΤΥΠΟ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ ΔΙΩΔΗΣ ΣΥΓΚΟΛΛΗΣΗΣ ΣΕΙΡΑ ZW
Οι κανονιστικές αναφορές που εφαρμόστηκαν από την Jiangsu Yangjie Runau Semiconductor Co στην παραγωγή διόδου συγκόλλησης ήταν οι εξής:
1. GB/T 4023—1997 Διακεκριμένες Συσκευές Συσκευών Ημιαγωγών και Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων Μέρος 2: Διόδους Ανορθωτή
2. GB/T 4937—1995 Μηχανικές και κλιματικές μέθοδοι δοκιμής για συσκευές ημιαγωγών
3. JB/T 2423—1999 Power Semiconductor Devices - Modeling Method
4. JB/T 4277—1996 Power Semiconductor Device Packaging
5. JB/T 7624—1994 Rectifier Diode Test Method
μοντέλο και μέγεθος
1. Όνομα μοντέλου: Το μοντέλο της διόδου συγκόλλησης αναφέρεται στους κανονισμούς του JB/T 2423-1999 και η σημασία κάθε τμήματος του μοντέλου φαίνεται στο σχήμα 1 παρακάτω:
2. Γραφικά σύμβολα και αναγνώριση τερματικού (υπο).
Τα γραφικά σύμβολα και η αναγνώριση τερματικού φαίνονται στο Σχήμα 2, το βέλος δείχνει προς το τερματικό της καθόδου.
3. Σχήμα και διαστάσεις τοποθέτησης
Το σχήμα της συγκολλημένης διόδου είναι κυρτό και τύπου δίσκου και το σχήμα με το μέγεθος πρέπει να πληροί τις απαιτήσεις του Σχήματος 3 και του Πίνακα 1.
| Είδος | Διάσταση (mm) | ||
| ZW7100 | ZW12000 | ZW16000/ZW18000 | |
| Φλάντζα καθόδου (Dmax) | 61 | 76 | 102 |
| Κάθοδος και άνοδος Μέσα(D1) | 44±0,2 | 57±0,2 | 68±0,2 |
| Μέγιστη διάμετρος κεραμικού δακτυλίου(D2Μέγιστη) | 55,5 | 71,5 | 90 |
| Συνολικό πάχος (Α) | 8±1 | 8±1 | 13±2 |
| Τρύπα θέσης τοποθέτησης | Διάμετρος οπής:φ3,5±0,2mm, Βάθος οπής: 1,5±0,3mm | ||
| Σημείωση: αναλυτική διάσταση και μέγεθος συμβουλευτείτε | |||
Βαθμολογίες και χαρακτηριστικά
1. Επίπεδο παραμέτρου
Η σειρά αντίστροφης επαναλαμβανόμενης μέγιστης τάσης (VRRM) είναι όπως ορίζεται στον Πίνακα 2
Πίνακας 2 Επίπεδο τάσης
| VRRM(V) | 200 | 400 |
| Επίπεδο | 02 | 04 |
2. Οριακές τιμές
Οι οριακές τιμές πρέπει να συμμορφώνονται με τον Πίνακα 3 και να ισχύουν για ολόκληρο το εύρος θερμοκρασίας λειτουργίας.
Πίνακας 3 Οριακή τιμή
| Οριακή τιμή | Σύμβολο | Μονάδα | αξία | |||
| ZW7100 | ZW12000 | ZW16000 | ZW18000 | |||
| Θερμοκρασία θήκης | Tcase | ℃ | -40-85 | |||
| Ισοδύναμη θερμοκρασία διασταύρωσης (μέγ.) | T(vj) | ℃ | 170 | |||
| Θερμοκρασία αποθήκευσης | Tstg | ℃ | -40-170 | |||
| Επαναλαμβανόμενη μέγιστη αντίστροφη τάση (μέγ.) | VRRM | V | 200/400 | 200/400 | 200/400 | 200/400 |
| Αντίστροφη μη επαναλαμβανόμενη μέγιστη τάση (μέγ | VRSM | V | 300/450 | 300/450 | 300/450 | 300/450 |
| Μπροστινό μέσο ρεύμα (μέγ.) | IF(AV) | A | 7100 | 12000 | 16000 | 18000 |
| Μπροστινό (μη επαναλαμβανόμενο) ρεύμα υπέρτασης (μέγ.) | IFSM | A | 55000 | 85000 | 120000 | 135000 |
| I²t (μέγιστο) | I²t | kA²s | 15100 | 36100 | 72000 | 91000 |
| Δύναμη τοποθέτησης | F | kN | 22-24 | 30-35 | 45-50 | 52-57 |
3. Χαρακτηριστικές αξίες
Πίνακας 4 Μέγιστες χαρακτηριστικές τιμές
| Χαρακτήρας και κατάσταση | Σύμβολο | Μονάδα | αξία | |||
| ZW7100 | ZW12000 | ZW16000 | ZW18000 | |||
| Μπροστινή τάση αιχμήςIFM=5000Α, Τj=25℃ | VFM | V | 1.1 | 1.08 | 1.06 | 1.05 |
| Αντίστροφο επαναλαμβανόμενο ρεύμα αιχμήςTj=25℃, Τj=170℃ | IRRM | mA | 50 | 60 | 60 | 80 |
| Θερμική αντίσταση Διασταύρωση με θήκη | Rjc | ℃/ Δ | 0,01 | 0,006 | 0,004 | 0,004 |
| Σημείωση: για ειδικές απαιτήσεις συμβουλευτείτε | ||||||
οδίοδος συγκόλλησηςπου παράγεται από την Jiangsu Yangjie Runau Semiconductor εφαρμόζεται ευρέως σε συγκολλητή αντίστασης, μηχανή συγκόλλησης μέσης και υψηλής συχνότητας έως 2000Hz ή παραπάνω.Με εξαιρετικά χαμηλή τάση αιχμής προς τα εμπρός, εξαιρετικά χαμηλή θερμική αντίσταση, τεχνολογία αιχμής κατασκευής, εξαιρετική ικανότητα αντικατάστασης και σταθερή απόδοση για παγκόσμιους χρήστες, η δίοδος συγκόλλησης από την Jiangsu Yangjie Runau Semiconductor είναι η πιο αξιόπιστη συσκευή της Κίνας προϊόντα ημιαγωγών.