Press-Pack IGBT
Πακέτο τύπου IGBT (IEGT)
| ΤΥΠΟΣ | VDRM V | VRRM V | IT(AV)@80℃ A | ITGQM@CS A / μF | ITSM@10ms kA | VTM V | VTO V | rT mΩ | TVJM ℃ | Rthjc ℃/Δ | |
| CSG07E1400 | 1400 | 100 | 250 | 700 | 2 | 4 | ≤2.2 | ≤1,20 | ≤0,50 | 125 | 0,075 |
| CSG07E1700 | 1700 | 16 | 240 | 700 | 1.5 | 4 | ≤2,5 | ≤1,20 | ≤0,50 | 125 | 0,075 |
| CSG15F2500 | 2500 | 17 | 570 | 1500 | 3 | 10 | ≤2,8 | ≤1,50 | ≤0,90 | 125 | 0,027 |
| CSG20H2500 | 2500 | 17 | 830 | 2000 | 6 | 16 | ≤2,8 | ≤1,66 | ≤0,57 | 125 | 0,017 |
| CSG25H2500 | 2500 | 16 | 867 | 2500 | 6 | 18 | ≤3.1 | ≤1,66 | ≤0,57 | 125 | 0,017 |
| CSG30J2500 | 2500 | 17 | 1350 | 3000 | 5 | 30 | ≤2,5 | ≤1,50 | ≤0,33 | 125 | 0,012 |
| CSG10F2500 | 2500 | 15 | 830 | 1000 | 2 | 12 | ≤2,5 | ≤1,66 | ≤0,57 | 125 | 0,017 |
| CSG06D4500 | 4500 | 17 | 210 | 600 | 1 | 3.1 | ≤4,0 | ≤1,90 | ≤0,50 | 125 | 0,05 |
| CSG10F4500 | 4500 | 16 | 320 | 1000 | 1 | 7 | ≤3,5 | 1.9 | ≤0,35 | 125 | 0,03 |
| CSG20H4500 | 4500 | 16 | 745 | 2000 | 2 | 16 | ≤3.2 | ≤1,8 | ≤0,85 | 125 | 0,017 |
| CSG30J4500 | 4500 | 16 | 870 | 3000 | 6 | 16 | ≤4,0 | ≤2.2 | ≤0,60 | 125 | 0,012 |
| CSG40L4500 | 4500 | 16 | 1180 | 4000 | 3 | 20 | ≤4,0 | ≤2.1 | ≤0,58 | 125 | 0,011 |
Σημείωση:D- με δτμήμα ιωδίου, Α-χωρίς εξάρτημα διόδου
Συμβατικά, οι μονάδες IGBT επαφής συγκόλλησης εφαρμόστηκαν στο γρανάζι μεταγωγής του εύκαμπτου συστήματος μετάδοσης DC.Η συσκευασία της μονάδας είναι μονής πλευράς απαγωγής θερμότητας.Η χωρητικότητα ισχύος της συσκευής είναι περιορισμένη και δεν είναι κατάλληλη για σύνδεση σε σειρά, κακή διάρκεια ζωής σε αλατισμένο αέρα, κακή αντικραδασμική ή θερμική κόπωση.
Η νέα συσκευή τύπου press-contact υψηλής ισχύος πιεστηρίου IGBT όχι μόνο λύνει πλήρως τα προβλήματα της κενής θέσης στη διαδικασία συγκόλλησης, τη θερμική κόπωση του υλικού συγκόλλησης και τη χαμηλή απόδοση της μονής όψης απαγωγής θερμότητας, αλλά επίσης εξαλείφει τη θερμική αντίσταση μεταξύ των διαφόρων εξαρτημάτων. ελαχιστοποιήστε το μέγεθος και το βάρος.Και να βελτιώσει σημαντικά την αποδοτικότητα και την αξιοπιστία της συσκευής IGBT.Είναι αρκετά κατάλληλο για να ικανοποιήσει τις απαιτήσεις υψηλής ισχύος, υψηλής τάσης και υψηλής αξιοπιστίας του ευέλικτου συστήματος μετάδοσης DC.
Η αντικατάσταση του τύπου επαφής συγκόλλησης από το πιεστήριο IGBT είναι επιβεβλημένη.
Από το 2010, η Runau Electronics εξελίχθηκε για την ανάπτυξη νέας συσκευής τύπου πιεστηρίου IGBT και διαδέχτηκε την παραγωγή το 2013. Η απόδοση πιστοποιήθηκε με εθνική πιστοποίηση και το επίτευγμα αιχμής ολοκληρώθηκε.
Τώρα μπορούμε να κατασκευάσουμε και να παρέχουμε σειρές συσκευασιών πίεσης IGBT εμβέλειας IC σε 600A έως 3000A και σειρά VCES σε 1700V έως 6500V.Μια θαυμάσια προοπτική της συσκευασίας τύπου IGBT που κατασκευάζεται στην Κίνα για εφαρμογή στην Κίνα ευέλικτου συστήματος μετάδοσης συνεχούς ρεύματος είναι ιδιαίτερα αναμενόμενη και θα γίνει ένας ακόμη λίθος παγκόσμιας κλάσης στην κινεζική βιομηχανία ηλεκτρονικών ισχύος μετά το ηλεκτρικό τρένο υψηλής ταχύτητας.
Σύντομη εισαγωγή της τυπικής λειτουργίας:
1. Λειτουργία: Press-pack IGBT CSG07E1700
●Ηλεκτρικά χαρακτηριστικά μετά τη συσκευασία και το πάτημα
● Αντίστροφηπαράλληλοσυνδεδεμένοςδίοδος γρήγορης ανάκτησηςκατέληξε στο συμπέρασμα
● Παράμετρος:
Ονομαστική τιμή (25℃)
ένα.Τάση εκπομπού συλλέκτη: VGES=1700 (V)
σι.Τάση εκπομπού πύλης: VCES=±20（V）
ντο.Ρεύμα συλλέκτη: IC=800(A)ICP=1600(A)
ρε.Διαρροή ισχύος συλλέκτη: PC=4440 (W)
μι.Θερμοκρασία διασταύρωσης εργασίας: Tj=-20~125℃
φά.Θερμοκρασία αποθήκευσης: Tstg=-40~125℃
Σημείωση: η συσκευή θα καταστραφεί εάν υπερβαίνει την ονομαστική τιμή
ΗλεκτρικόςCχαρακτηριστικά, TC＝125℃，Rth (θερμική αντίσταση τουδιασταύρωση προςυπόθεση)Δεν περιλαμβάνονται
ένα.Ρεύμα διαρροής πύλης: IGES=±5 (μA)
σι.Ρεύμα αποκλεισμού εκπομπού συλλέκτη ICES=250 (mA)
ντο.Τάση κορεσμού εκπομπού συλλέκτη: VCE(sat)=6(V)
ρε.Τάση κατωφλίου εκπομπού πύλης: VGE(th)=10(V)
μι.Χρόνος ενεργοποίησης: Ton=2,5μs
φά.Χρόνος απενεργοποίησης: Toff=3μs
2. Λειτουργία: Press-pack IGBT CSG10F2500
●Ηλεκτρικά χαρακτηριστικά μετά τη συσκευασία και το πάτημα
● Αντίστροφηπαράλληλοσυνδεδεμένοςδίοδος γρήγορης ανάκτησηςκατέληξε στο συμπέρασμα
● Παράμετρος:
Ονομαστική τιμή (25℃)
ένα.Τάση εκπομπού συλλέκτη: VGES=2500 (V)
σι.Τάση εκπομπού πύλης: VCES=±20（V）
ντο.Ρεύμα συλλέκτη: IC=600(A)ICP=2000(A)
ρε.Διαρροή ισχύος συλλέκτη: PC=4800 (W)
μι.Θερμοκρασία διασταύρωσης εργασίας: Tj=-40~125℃
φά.Θερμοκρασία αποθήκευσης: Tstg=-40~125℃
Σημείωση: η συσκευή θα καταστραφεί εάν υπερβαίνει την ονομαστική τιμή
ΗλεκτρικόςCχαρακτηριστικά, TC＝125℃，Rth (θερμική αντίσταση τουδιασταύρωση προςυπόθεση)Δεν περιλαμβάνονται
ένα.Ρεύμα διαρροής πύλης: IGES=±15（μA）
σι.Ρεύμα αποκλεισμού εκπομπού συλλέκτη ICES=25 (mA)
ντο.Τάση κορεσμού εκπομπού συλλέκτη: VCE(sat)=3,2 (V)
ρε.Τάση κατωφλίου εκπομπού πύλης: VGE(th)=6,3(V)
μι.Χρόνος ενεργοποίησης: Ton=3,2μs
φά.Χρόνος απενεργοποίησης: Toff=9,8μs
σολ.Δίοδος Μπροστινή τάση: VF=3,2 V
η.Χρόνος Αντίστροφης Ανάκτησης Διόδου: Trr=1,0 μs
3. Λειτουργία: Press-pack IGBT CSG10F4500
●Ηλεκτρικά χαρακτηριστικά μετά τη συσκευασία και το πάτημα
● Αντίστροφηπαράλληλοσυνδεδεμένοςδίοδος γρήγορης ανάκτησηςκατέληξε στο συμπέρασμα
● Παράμετρος:
Ονομαστική τιμή (25℃)
ένα.Τάση εκπομπού συλλέκτη: VGES=4500 (V)
σι.Τάση εκπομπού πύλης: VCES=±20（V）
ντο.Ρεύμα συλλέκτη: IC=600(A)ICP=2000(A)
ρε.Διαρροή ισχύος συλλέκτη: PC=7700 (W)
μι.Θερμοκρασία διασταύρωσης εργασίας: Tj=-40~125℃
φά.Θερμοκρασία αποθήκευσης: Tstg=-40~125℃
Σημείωση: η συσκευή θα καταστραφεί εάν υπερβαίνει την ονομαστική τιμή
ΗλεκτρικόςCχαρακτηριστικά, TC＝125℃，Rth (θερμική αντίσταση τουδιασταύρωση προςυπόθεση)Δεν περιλαμβάνονται
ένα.Ρεύμα διαρροής πύλης: IGES=±15（μA）
σι.Ρεύμα αποκλεισμού εκπομπού συλλέκτη ICES=50 (mA)
ντο.Τάση κορεσμού εκπομπού συλλέκτη: VCE(sat)=3,9 (V)
ρε.Τάση κατωφλίου εκπομπού πύλης: VGE(th)=5,2 (V)
μι.Χρόνος ενεργοποίησης: Ton=5,5μs
φά.Χρόνος απενεργοποίησης: Toff=5,5μs
σολ.Δίοδος Μπροστινή τάση: VF=3,8 V
η.Χρόνος Αντίστροφης Ανάκτησης Διόδου: Trr=2,0 μs
Σημείωση:Το πακέτο πρέσας IGBT είναι πλεονέκτημα στη μακροπρόθεσμη υψηλή μηχανική αξιοπιστία, την υψηλή αντοχή στη ζημιά και τα χαρακτηριστικά της δομής σύνδεσης πρέσας, είναι βολικό για χρήση σε σειριακές συσκευές και σε σύγκριση με το παραδοσιακό θυρίστορ GTO, το IGBT είναι μέθοδος κίνησης τάσης .Ως εκ τούτου, είναι εύκολο στη λειτουργία, ασφαλές και ευρύ φάσμα λειτουργίας.