ΠΡΟΤΥΠΟ ΠΑΡΑΓΩΓΗΣ ΔΙΩΔΗΣ ΣΥΓΚΟΛΛΗΣΗΣ ΣΕΙΡΑ ZW

Οι κανονιστικές αναφορές που εφαρμόστηκαν από την Jiangsu Yangjie Runau Semiconductor Co στην παραγωγή διόδου συγκόλλησης ήταν οι εξής:

1. GB/T 4023—1997 Διακεκριμένες Συσκευές Συσκευών Ημιαγωγών και Ολοκληρωμένων Κυκλωμάτων Μέρος 2: Διόδους Ανορθωτή

2. GB/T 4937—1995 Μηχανικές και κλιματικές μέθοδοι δοκιμής για συσκευές ημιαγωγών

3. JB/T 2423—1999 Power Semiconductor Devices – Modeling Method

4. JB/T 4277—1996 Power Semiconductor Device Packaging

5. JB/T 7624—1994 Rectifier Diode Test Method

μοντέλο και μέγεθος

1. Όνομα μοντέλου: Το μοντέλο της διόδου συγκόλλησης αναφέρεται στους κανονισμούς του JB/T 2423-1999 και η σημασία κάθε τμήματος του μοντέλου φαίνεται στο σχήμα 1 παρακάτω:

20

2. Γραφικά σύμβολα και αναγνώριση τερματικού (υπο).

Τα γραφικά σύμβολα και η αναγνώριση τερματικού φαίνονται στο Σχήμα 2, το βέλος δείχνει προς το τερματικό της καθόδου.

211

3. Σχήμα και διαστάσεις τοποθέτησης

Το σχήμα της συγκολλημένης διόδου είναι κυρτό και τύπου δίσκου και το σχήμα με το μέγεθος πρέπει να πληροί τις απαιτήσεις του Σχήματος 3 και του Πίνακα 1.

221

Είδος Διάσταση (mm)
  ZW7100 ZW12000 ZW16000/ZW18000
Φλάντζα καθόδου (Dmax) 61 76 102
Κάθοδος και άνοδος Mesa(D1) 44±0,2 57±0,2 68±0,2
Μέγιστη διάμετρος κεραμικού δακτυλίου (D2Μέγιστη) 55,5 71,5 90
Συνολικό πάχος (Α) 8±1 8±1 13±2
Τρύπα θέσης τοποθέτησης Διάμετρος οπής:φ3,5±0,2mm, Βάθος οπής: 1,5±0,3mm

Βαθμολογίες και χαρακτηριστικά

1. Επίπεδο παραμέτρου

Η σειρά αντίστροφης επαναλαμβανόμενης μέγιστης τάσης (VRRM) είναι όπως ορίζεται στον Πίνακα 2

Πίνακας 2 Επίπεδο τάσης

VRRM(V) 200 400
Επίπεδο 02 04

2. Οριακές τιμές

Οι οριακές τιμές πρέπει να συμμορφώνονται με τον Πίνακα 3 και να ισχύουν για ολόκληρο το εύρος θερμοκρασίας λειτουργίας.

Πίνακας 3 Οριακή τιμή

Οριακή τιμή

Σύμβολο

Μονάδα

αξία

ZW7100 ZW12000 ZW16000 ZW18000

Θερμοκρασία θήκης

Tcase

-40-85

Ισοδύναμη θερμοκρασία διασταύρωσης (μέγ.)

T(vj)

170

Θερμοκρασία αποθήκευσης

Tstg

-40-170

Επαναλαμβανόμενη μέγιστη αντίστροφη τάση (μέγ.)

VRRM

V

200/400

200/400

200/400

200/400

Αντίστροφη μη επαναλαμβανόμενη μέγιστη τάση (μέγ

VRSM

V

300/450

300/450

300/450

300/450

Μπροστινό μέσο ρεύμα (μέγ.)

IF(AV)

A

7100

12000

16000

18000

Μπροστινό (μη επαναλαμβανόμενο) ρεύμα υπέρτασης (μέγ.)

IFSM

A

55000

85000

120000

135000

I²t (μέγιστο)

I²t

kA²s

15100

36100

72000

91000

Δύναμη τοποθέτησης

F

kN

22-24

30-35

45-50

52-57

3. Χαρακτηριστικές αξίες

Πίνακας 4 Μέγιστες χαρακτηριστικές τιμές

Χαρακτήρας και κατάσταση Σύμβολο Μονάδα

αξία

ZW7100

ZW12000

ZW16000

ZW18000

Μπροστινή μέγιστη τάση IFM=5000Α, Τj=25℃ VFM V

1.1

1.08

1.06

1.05

Αντίστροφο επαναλαμβανόμενο ρεύμα αιχμής Τj=25℃, Τj=170℃ IRRM mA

50

60

60

80

Θερμική αντίσταση Διασταύρωση με θήκη Rjc ℃/ Δ

0,01

0,006

0,004

0,004

Σημείωση: για ειδικές απαιτήσεις συμβουλευτείτε

οδίοδος συγκόλλησηςπου παράγεται από την Jiangsu Yangjie Runau Semiconductor εφαρμόζεται ευρέως σε συγκολλητή αντίστασης, μηχανή συγκόλλησης μέσης και υψηλής συχνότητας έως 2000Hz ή παραπάνω.Με εξαιρετικά χαμηλή τάση αιχμής προς τα εμπρός, εξαιρετικά χαμηλή θερμική αντίσταση, τεχνολογία αιχμής κατασκευής, εξαιρετική ικανότητα αντικατάστασης και σταθερή απόδοση για παγκόσμιους χρήστες, η δίοδος συγκόλλησης από την Jiangsu Yangjie Runau Semiconductor είναι η πιο αξιόπιστη συσκευή της Κίνας προϊόντα ημιαγωγών.

7b2fe59b4309965f7d2420828043e26 b0a98467d514938a3e9ce9caa04a1a1 ff2ea7a066ade614fecccf57c3c16b4


Ώρα δημοσίευσης: Ιουν-14-2023